10月8日，工信部网站发布《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案答复的函》，称下一步将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，根据产业发展形势，调整完善政策实施细则，更好地支持产业发展。
　　积极研究出台政策扶持
　　答复函中提及，为推动中国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，工信部、发展改革委及相关部门，积极研究出台政策扶持产业发展。
　　下一步，工信部及相关部门将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，根据产业发展形势，调整完善政策实施细则，更好地支持产业发展。通过行业协会等加大产业链合作力度，深入推进产学研用协同，促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭代和应用推广。
　　答复函中还提及，工信部与相关部门积极支持国内企业、高校、研究院所与先进发达国家加强交流合作。引进国外先进技术和研发团队，推动包括工业半导体芯片、器件等领域国际专家来华交流，支持海外高层次产业人才来华发展，提升中国在工业半导体芯片相关领域的研发能力和技术实力。
　　下一步，工信部和相关部门将继续加快推进开放发展。引导国内企业、研究机构等加强与先进发达国家产学研机构的战略合作，进一步鼓励中国企业引进国外专家团队，促进中国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业研发能力和产业能力的提升。
　　推动中国芯片制造领域良率、产量提升
　　工信部回复称，为解决工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块等核心部件的关键性技术问题，工信部等相关部门积极支持工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键技术攻关。
　　一是2017年工信部推出“工业强基IGBT器件一条龙应用计划”，针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大领域，重点支持IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM、上游材料、生产设备制造等环节，促进IGBT及相关产业的发展。
　　二是指导湖南省建立功率半导体制造业创新中心建设，整合产业链上下游资源，协同攻关工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键共性技术。
　　三是指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业发展路线图(2018~2030)》，引导我国IGBT行业技术升级，推动相关产业发展。
　　下一步，工信部将继续支持我国工业半导体领域成熟技术发展，推动中国芯片制造领域良率、产量的提升。积极部署新材料及新一代产品技术的研发，推动我国工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块产业的发展。
　　积极推动相关产业人才培养
　　工信部表示，当前，人才问题特别是高端人才团队短缺成为制约中国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业可持续发展的关键因素，为此工信部及相关部门积极推动中国相关产业人才的培养。
　　一是工信部、教育部共同推动筹建集成电路产教融合发展联盟，促进产业界和学术界的资源整合，推动培养拥有工程化能力的产业人才。
　　二是同时以集成电路为试点，实施关键领域核心技术紧缺博士人才自主培养专项，根据行业企业需要，依托高水平大学和国内骨干企业，针对性地培养一批高端博士人才。
　　三是教育部、工信部等相关部门印发了《关于支持有关高校建设示范性微电子学院的通知》，支持26所高校建设或筹建示范性微电子学院，推动高校与区域内集成电路领域骨干企业、国家公共服务平台、科技创新平台、产业化基地和地方政府等加强合作。
　　工信部表示，下一步，与教育部等部门将进一步加强人才队伍建设。推进设立集成电路一级学科，进一步做实做强示范性微电子学院，加快建设集成电路产教融合协同育人平台，保障我国在工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的可持续发展。