本报讯 3月23日，中国恩菲副总工程师、多晶硅材料制备技术国家工程实验室主任严大洲应国家知识产权局邀请，以“硅产业技术发展方向”为主题，作专题讲座。
　　本次讲座，是在当前国家硅产业迅速发展、硅材料技术不断进步、相关领域专利申请呈爆发式增长的大背景下，国家知识产权局开展的一次专业培训，旨在夯实审查员专业知识储备，从而进一步提升该领域专利审查质量，提升我国专利国际竞争力。以此为契机，国家知识产权局特邀我国光伏产业知名专家严大洲进行讲座，梳理我国多晶硅产业发展历程，介绍行业技术创新成果，分析国内外光伏-多晶硅产业格局，研判行业发展趋势，进一步强调了能源强国的重要意义和战略地位。
　　讲座中，严大洲系统介绍了我国光伏产业从遭遇封锁、垄断，到自主探索的求强道路；回顾了产业发展成果初现，却屡遭欧美舆论、贸易等多重打压的艰辛历程；阐述了我国自主多晶硅生产技术在环保、能耗、成本方面的突出优势；分享了从上世纪至今，伴随中国恩菲多晶硅产业的发展进程，民族多晶硅产业开拓者的坚守感悟。
　　在对主要多晶硅生产技术路线进行介绍后，严大洲讲解了目前应用最广的三氯氢硅法的特点和优势，强调了多晶硅生产尾气资源化利用的意义和作用，重点介绍了三氯氢硅法涉及的核心技术，技术进步过程中电耗、能耗、成本方面体现的突出成效，及目前国际专利申请和分布情况。
　　严大洲还全面介绍了光伏-多晶硅产业发展现状、趋势和技术特点，对我国当前及未来的能源结构进行了研判，他指出，太阳能具有其他能源难以比拟的成本优势，具有广阔的市场前景。在对比分析了国外光伏应用水平、经验、单晶硅生产技术现状和前景的基础上，严大洲表示，当前中国光伏产业在全球格局中份额持续提升，地位日趋重要，光伏行业已经带来可观的社会效益和经济效益。当前，中国恩菲已经凭借国内独有的多晶硅生产技术，形成了位居世界前十的产能规模，布局了200多件专利，致力于在国内外竞争中，抢占专利制高点，提升国际竞争力。
　　结合国家新能源产业政策，严大洲描绘了我国光伏产业发展的美好前景，针对技术产业发展热点，他指出，我国应在硅基电子信息材料方面取得突破，使信息产业摆脱在原材料方面受制于人的不利局面，这对于我国实现“中国制造2025”行动纲领，维护国家安全具有重要意义。
　　本次讲座取得了良好反响，参会审查员就硅材料产业及光伏行业相关技术提出问题，严大洲针对审查业务中遇到的实际问题，从技术和产业发展角度给予指导和讲解。国家知识产权局相关领导表示，愿与中国恩菲及上级中冶集团深入合作，希望中国恩菲能充分发挥自身技术优势，为相关人员提供专业指导和智力支持，为提升我国专利审核水平，发挥更大作用。（张雄）